• SK hynix 介紹

    公司簡介

    SK海力士,前身為1983年成立的現代電子產業株式會社,1996年正式在韓國上市,1999年收購LG半導體,2001年從現代集團分離出來,更名為(株)海力士半導體。2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團,成為專業的存儲器制造商。

    SK海力士致力于生產以DRAM、NAND Flash & CIS非存儲器為主的半導體產品。目前在韓國有1條8英寸晶圓生產線和2條12英寸生產線,在中國無錫有一條12英寸生產線。SK海力士是世界第二大DRAM制造商,并于2007年成長為世界第六大半導體企業。目前在世界各地設有銷售法人和辦事處。SK海力士穩固地立足于以DRAM和閃存為主的半導體存儲器領域,通過產品種類多樣化,包括涉足CIS商業領域等策略,正逐步成長為綜合性的半導體設備供應商。

    公司歷程

    1980's
    1983.02
    • 創立現代電子株式會社
    1990's
    1996.12
    • 公司股票上市
    1999.10
    • 合并LG半導體,成立現代半導體株式會社
    2000's
    2001.03
    • 公司更名為(株)海力士半導體
    2001.08
    • 完成與現代集團的最終剝離
    2003.04
    • 宣布與STMicroelectronics公司簽定合作生產NAND閃存的協議
    2003.12
    • 宣布與茂德科技簽署長期的戰略性MOU
    2004.07
    • 獲得公司成立以來最大的季度銷售利潤
    2005.07
    • 提前終止企業重組完善協議
    2006.10
    • 海力士-意法半導體竣工(無錫工廠)
    2007.04
    • 在韓國清州動土建造300mm fab
    2007.03
    • 任命Jong-Kap Kim作為新會長及執行總裁
    2007.12
    • 成功發行約6億美元大規模海外債券
    2008.05
    • 宣布與臺灣茂德科技簽訂全面合作合約
    2008.08
    • 清州300mm專用第3工場竣工
    2009.02
    • 成功開發世界頂尖44nmDDR3 DRAM
    2010's
    2010.06
    • 中國海太半導體封裝測試項目竣工
    2010.09
    • 入選道瓊斯可持續發展世界指數
    2011.07
    • 與東芝簽署MRAM聯合開發協議
    2012.02
    • SK電訊收購海力士
    2012.05
    • 公司名稱正式變更為SK海力士株式會社
    2012.06
    • 清州建立M12工廠
    • 收購 Ideaflash S.r.l , 于歐洲建立閃存研發中心
    • 與IBM簽署聯合開發PCRAM的協議
    2013.02
    • 樸星昱代表理事(CEO)就任
    2013.11
    • 建立16nm Nand Flash 量產體系
    2013.12
    • 成功開發世界最初的20nm LPDDR4
    2014.01
    • 2013年度經營業績創新高
    2014.04
    • 成功開發世界最初的128GB DDR4 Module